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2N7002W, 2V7002W
TYPICAL CHARACTERISTICS
30
5
C iss
4
T J = 25 ° C
I D = 0.2 A
20
10
C oss
T J = 25 ° C
V GS = 0 V
3
2
1
0
0
C rss
4
8
12
16
20
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
Qg, TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage vs. Total Charge
10
V GS = 0 V
1.0E ? 6
1.0E ? 7
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
1
T J = 125 ° C
0.1
T J = 85 ° C
T J = 25 ° C
1.0E ? 8
T J = 85 ° C
1.0E ? 9
T J = 25 ° C
0.01
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.0E ? 10
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 9. Diode Forward Voltage vs. Current
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 10. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
http://onsemi.com
4
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